1.?黏土-半导体

根据笔记本某页，用铅笔绘制的蒙脱石片层与zns量子点的界面模型。

开始记录片层间的si-o四面体与zns的s原子形成氢键，标注“d(o-s)=0.28nm，键能约25kj/mol”。

又根据旁边贴有xps能谱图，显示界面处zn 2p峰向低能端偏移0.3ev，印证电子从黏土向半导体转移的推测。

?“……”

确定没问题之后，我才翻页继续记录分析。

2.?光催化反应的动态捕捉，

记录了用飞秒激光光谱仪观测到的现象。

355nm激光激发后，zns/陶土体系的激子寿命为35ps，比纯zns延长12ps，归因于黏土表面羟基的陷阱效应。

根据这种情况，又开始手绘激子扩散路径图，用不同颜色箭头表示电子（蓝色）与空穴（红色）的分离轨迹。

?“……”

把笔换回原来的黑色，之前用的其他笔则放回笔筒里面。

3.?缺陷工程的实验笔记

详细记录了氧空位调控实验。

在400c氩气氛围中退火zns/陶土复合体，o 1s峰强度下降15%，epr检测到g=2.003的顺磁信号，证明氧空位浓度增加。

附页有退火温度-空位浓度曲线，拐点标注“最佳退火温度：420c”。

“……”

把这一个阶段的分析纸放在左上角，我重新拿出新的纸开始记录。

1、根据陶瓷废料再生的全流程记录。

其分拣环节，有记录景德镇陶瓷厂废料分类标准。

青花瓷碎片含sio? 72%、al?o? 18%，可用于制备陶土粉体；匣钵废料需剔除fe?o?杂质。

关于煅烧工艺，附有窑炉温度控制曲线。

从20c升温至800c，速率5c/min，保温2。

?关于表面改性，有用废弃茶籽油，对陶土粉体进行疏水改性。

记录数据是油土比1:5，60c搅拌2h，接触角从32°增至115°，利于与有机半导体结合。

?“……”

把重点写上，我皱起眉头。

2、微波炉改造的技术攻关

手绘设备改造图。

有尝试在微波炉腔体侧壁开直径5cm圆孔，安装石英玻璃观察窗，腔底铺设铜网防止微波泄漏。

调试记录显示，是功率400w时，材料局部过热问题严重，后在腔体内置旋转式聚四氟乙烯托盘，温度均匀性提升至±5c。

?“……”

记录下来温度，我把这些纸张又放在中间的位置上，重新拿出新的纸开始记录。

3、有关于田间试验的失败溯源。

在某日暴雨中，降雨量120mm，材料层被冲刷形成3处沟壑，深度5-8cm。

sem观察冲刷后材料表面，zns颗粒脱落率达68%，暴露的陶土基体出现层状剥离。

由于比较在意这一点，这些重点我都是用红色笔记录的。

“……”

把这张内容，也放在中间的位置，继续拿新纸记录。

1、关于陈教授的师兄，进行的跨专业合作记录。

有关于土壤-材料界面的微生物作用。

是与农业微生物实验室的合作记录。

【接种圆褐固氮菌于材料表面，7天后检测到材料孔隙内nol/l，推测微生物代谢产物（如有机酸）促进了材料表面羟基化，增强对cd2+的吸附。】

附有菌落生长照片与eds元素分布图。

2、有关于量子力学与材料设计的类比。

其在笔记边缘是用钢笔写着的内容。

【波函数坍缩≈材料界面电子态确定，当zns与陶土接触，电子的‘叠加态’变为‘定态’，能量差以晶格振动形式释放（即热效应）。】

而对此，我在旁边画了简化的量子阱模型，标注上界面势垒高度0.3ev的内容。

?

3、笔记内有关记录的从景德镇制瓷工艺中获得的灵感。

【借鉴二元配釉技术，将陶土废料（70%）与废玻璃（30%）混合煅烧，熔融温度从1200c降至950c，材料致密度提升20%。】

附有釉料配方换算表与热重分析曲线。

把这些内容放在右边，我拿出抽屉里的小型订书机，把这些按照顺序装订好。

然后把课桌底下的推车用脚勾出来，把自己写的随意放在第一层，关于陈教授师兄的笔记本，则